ANKARA

ASELSAN ile Bilkent Üniversitesi Nanoteknoloji Araştırma Merkezi (NANOTAM) arasında ''Galyum Nitrat (GaN) Transistör ve Tümleşik Devre Yapımı İçin İleri Teknoloji Yatırımı'' konusunda mutabakat muhtırası törenle imzalandı.
Törende konuşan Savunma Sanayii Müsteşarı Bayar, ASELSAN ile birlikte sistem mühendisliğinin tasarım ve modüle kadar yol aldığını, şimdi de malzeme üretimine geçileceğini söyledi. 
Bayar, bu teknolojinin radar üretiminde kullanılacağını belirterek, ''Radar alanında en kritik teknolojiyi kazanıyoruz'' dedi. 
Bilkent üniversitesi Rektörü Prof. Dr. Abdullah Atalar da bu projenin, üniversitelere araştırma için verilen kaynakların gerçek hayatta faydalı işlere dönüştüğünün güzel bir örneği olacağını kaydetti.

GaN transistörler 2016 yılında üretilecek
ASELSAN Radar Elektronik Harp ve İstihbarat Sistemleri (REHİS) Grubu Tasarım Direktörü Oğuz Şener ise Türkiye'de GaN üretim altyapısı kurma ve geliştirme sürecinin 2014'te tamamlanacağına dikkati çekerek, yeni nesil milli radarlarda kullanılacak ilk GaN transistörlerinin üretiminin 2016 yılında gerçekleştirileceğini bildirdi.